多晶硅生產(chǎn)中尾氣處理方法及系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010025944.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113117442A 公開（公告）日 2021-07-16
申請公布號 CN113117442A 申請公布日 2021-07-16
分類號 B01D50/00（2006.01）I;B01D53/00（2006.01）I 分類 一般的物理或化學(xué)的方法或裝置;
發(fā)明人 李萬存;馮茹濤;吳友成;王正云;李軍;劉興平 申請（專利權(quán)）人 新疆新特晶體硅高科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 羅建民;杜丹丹
地址 831500新疆維吾爾自治區(qū)烏魯木齊市甘泉堡經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)（工業(yè)區(qū)）面廣東街2499號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開提供一種多晶硅生產(chǎn)中尾氣處理方法及系統(tǒng)，其中，所述方法包括：將待處理混合氣通入第一分離裝置，得到第一處理混合氣及硅粉固渣；將所述硅粉固渣排放至殘?jiān)幚硌b置；將所述第一處理混合氣通入急冷塔，得到第一氯硅烷氣體及含有雜質(zhì)的氯硅烷殘液；收集所述第一氯硅烷氣體，將其冷凝為第一液相氯硅烷后輸送至所述第一分離裝置；將所述氯硅烷殘液通入第二分離裝置，在所述第二分離裝置中對所述氯硅烷殘液進(jìn)行固液分離，得到氯硅烷清液和硅粉渾濁液；將所述氯硅烷清液輸送至急冷塔；將所述硅粉渾濁液排放至殘?jiān)幚硌b置。本公開實(shí)施例至少可以解決相關(guān)技術(shù)中氯硅烷的固含量過高所導(dǎo)致的管道及設(shè)備運(yùn)行周期縮短、維修成本過高等問題。