一種氯酸鈉型酸性蝕刻液離線再生系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510751859.0 申請日 -
公開（公告）號 CN106676527B 公開（公告）日 2019-03-08
申請公布號 CN106676527B 申請公布日 2019-03-08
分類號 C23F1/46（2006.01）I; C25B1/26（2006.01）I; C25C1/12（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 劉偉偉; 譚濤; 耐迪·薩多克 申請（專利權(quán)）人 橋德聯(lián)合自動化（蘇州）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京眾元弘策知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 庫特勒環(huán)?？萍迹ㄌK州）有限公司
地址 215000 江蘇省蘇州市蘇州高新區(qū)泰山路6號2幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種氯酸鈉型酸性蝕刻液離線再生系統(tǒng)，包括氯酸鈉制備單元、電解單元、鈉離子回用單元、氯酸暫存槽、提銅電元、再生單元、電解液暫存槽、刻蝕槽；所述蝕刻液離線再生系統(tǒng)，通過工藝管道和輸送泵依次連接有氯酸鈉制備單元、電解單元、鈉離子回用單元、氯酸暫存槽、提銅電元、再生單元、電解液暫存槽、刻蝕槽；并通過控制器控制輸送泵和閥組，調(diào)節(jié)和控制整體再生系統(tǒng)的運(yùn)行；本發(fā)明電解單元制備氯酸鈉；直接電解方式從蝕刻廢液中提取出銅板，同時(shí)能夠再生出HClO3和Cu(ClO3)2藥液，保證高效蝕刻速率的同時(shí)實(shí)現(xiàn)氯酸鈉型刻蝕液零添加零排放循環(huán)再生運(yùn)行；再生系統(tǒng)整套采用離線方式、操作方便、能耗低；直接高效提取出有韌性高質(zhì)量銅板。