一種鍍鋁陰陽膜及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710438351.4 申請日 -
公開（公告）號 CN107245695A 公開（公告）日 2017-10-13
申請公布號 CN107245695A 申請公布日 2017-10-13
分類號 C23C14/04;C23C14/20 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 何慶君;徐相峰;王欽 申請（專利權(quán)）人 山東長宇新材料有限公司
代理機構(gòu) 北京智橋聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王鑫
地址 271500 山東省泰安市東平縣經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于鍍鋁薄膜技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種鍍鋁復(fù)合陰陽膜，并進(jìn)一步公開其制備方法。本發(fā)明所述鍍鋁陰陽膜在現(xiàn)有制備方法的基礎(chǔ)上，利用含有金屬氧化物納米粒子的揮發(fā)溶劑作為屏蔽層的邊界填充，借助于揮發(fā)性溶劑的揮發(fā)，使得所述金屬氧化物納米粒子沉積于屏蔽層邊界處，借助于金屬氧化物納米粒子的較高的比表面積，使得鍍鋁過程中所述陰膜和陽膜的分界線更為清晰；同時，本發(fā)明所述方法利用在全氟聚醚油中添加二氧化硅納米粒子的方法，進(jìn)一步增強了屏蔽層在鍍鋁過程中對金屬沉積的排他性，進(jìn)一步增強了所述陰膜部分的透明效果。