卷對卷對銅箔等離子體處理方法、裝置、計算機(jī)設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110454552.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113316326A 公開（公告）日 2021-08-27
申請公布號 CN113316326A 申請公布日 2021-08-27
分類號 H05K3/38（2006.01）I 分類 其他類目不包含的電技術(shù);
發(fā)明人 謝安;孫東亞;李月嬋;曹春燕;盧向軍;楊亮;曹光;周健強(qiáng) 申請（專利權(quán)）人 廈門弘信電子科技集團(tuán)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廈門福貝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陳遠(yuǎn)洋
地址 361024福建省廈門市集美區(qū)理工路600號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種卷對卷對銅箔等離子體處理方法、裝置、計算機(jī)設(shè)備。其中，所述方法包括：將銅箔片以粘著方式貼附于基板之上，以形成正、背面的銅箔層，和對該銅箔層的正面四周進(jìn)行封膠保護(hù)，和對該經(jīng)封膠保護(hù)后封裝在該銅箔層的背面與該基板的正面之間的氣體進(jìn)行抽真空，以及采用卷對卷方式，對該經(jīng)抽真空后的銅箔層的正面進(jìn)行等離子體蝕刻。通過上述方式，能夠通過該封膠將該背面的銅箔層與正面的基板之間的氣體封裝起來，便于將該封裝的氣體抽真空，使得該銅箔層受到的內(nèi)外壓力差趨于零，能夠?qū)崿F(xiàn)減少銅箔層在內(nèi)外壓力差的作用下出現(xiàn)向外膨脹鼓起的情況，提高產(chǎn)品品質(zhì)。