一種Micro-LED芯片的巨量轉(zhuǎn)移方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111025739.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113471339B 公開(kāi)（公告）日 2021-11-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN113471339B 申請(qǐng)公布日 2021-11-09
分類(lèi)號(hào) H01L33/00（2010.01）I;H01L21/683（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 羅雪方;陳文娟;羅子杰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 羅化芯顯示科技開(kāi)發(fā)（江蘇）有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 226000江蘇省南通市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)星湖大道1692號(hào)21（22）幢14100室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種Micro?LED芯片的巨量轉(zhuǎn)移方法。在每個(gè)Micro?LED芯片的第一、第二側(cè)面分別形成多個(gè)第一、第二輔助部，多個(gè)所述第一、第二輔助部均位于外圍輔助區(qū)域中，并且對(duì)每個(gè)所述Micro?LED芯片的功能核心區(qū)域的非有源功能面進(jìn)行刻蝕處理，以形成多個(gè)相互分離的第一凹槽，進(jìn)而可以增大第二暫態(tài)基板上的第二粘結(jié)層與Micro?LED芯片的接觸面積，進(jìn)而可以提高M(jìn)icro?LED芯片在轉(zhuǎn)移過(guò)程中的穩(wěn)定性，且由于在功能核心區(qū)域的外側(cè)形成第一、第二輔助部，而不是完全保留外圍輔助區(qū)域，則是為了方便轉(zhuǎn)移完成后的去除該第一、第二輔助部。上述轉(zhuǎn)移方法可以確保巨量轉(zhuǎn)移的精度和良率。