微發(fā)光二極管顯示器件及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111169189.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113594198B 公開（公告）日 2021-12-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN113594198B 申請(qǐng)公布日 2021-12-28
分類號(hào) H01L27/15（2006.01）I;H01L33/64（2010.01）I;H01L33/62（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 羅雪方;盛衍;陳文娟;羅子杰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 羅化芯顯示科技開發(fā)（江蘇）有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 226000江蘇省南通市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)星湖大道1692號(hào)21（22）幢14100室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及微發(fā)光二極管顯示器件及其制作方法。通過對(duì)每個(gè)所述微發(fā)光二極管單元的四個(gè)側(cè)面進(jìn)行刻蝕處理，以在每個(gè)側(cè)面上均形成多個(gè)貫穿孔，接著沉積介電材料層以覆蓋每個(gè)所述微發(fā)光二極管單元的側(cè)壁和上表面，且所述介電材料層具有暴露每個(gè)所述微發(fā)光二極管單元的所述N型半導(dǎo)體層的開口。接著沉積金屬材料層以覆蓋每個(gè)所述微發(fā)光二極管單元的側(cè)壁和上表面且填滿所述貫穿孔，接著對(duì)所述金屬材料層進(jìn)行刻蝕處理，以形成相互間隔設(shè)置的電引出結(jié)構(gòu)和熱引出結(jié)構(gòu)，所述電引出結(jié)構(gòu)與所述N型半導(dǎo)體層電連接，且所述熱引出結(jié)構(gòu)圍繞所述電引出結(jié)構(gòu)。