一種提高AlGaN基紫外LED發(fā)光效率的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210272418.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN102856447B 公開（公告）日 2015-10-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN102856447B 申請(qǐng)公布日 2015-10-07
分類號(hào) H01L33/00(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 胡斌;盧細(xì)中 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江優(yōu)緯光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州杭誠專利事務(wù)所有限公司 代理人 浙江優(yōu)緯光電科技有限公司
地址 322000 浙江省金華市義烏市稠州西路427號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種提高AlGaN基紫外LED發(fā)光效率的方法，該方法通過在c面藍(lán)寶石表面沿[10-10]方向刻蝕三棱柱形的圖形來提高AlN?Buffer層的晶體質(zhì)量，通過高溫脈沖式原子層外延來提高AlN層的表面形貌。傳統(tǒng)的flip?chip?結(jié)構(gòu)的AlGaN基LED采用鍍布拉格光柵來提高光的提取率，這種方法不僅受材料的折射率的限制、成本高而且容易磨損和脫落；而本發(fā)明采用刻蝕亞波長光柵的方法，不僅設(shè)計(jì)和工藝簡(jiǎn)單，而且不容易磨損和脫落，并且有利于散熱，從而可以提高器件的發(fā)光效率。