一種AlGaN基深紫外LED器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210472002.1 申請日 -
公開（公告）號 CN103296170A 公開（公告）日 2013-09-11
申請公布號 CN103296170A 申請公布日 2013-09-11
分類號 H01L33/32(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 胡斌 申請（專利權）人 浙江優(yōu)緯光電科技有限公司
代理機構 杭州杭誠專利事務所有限公司 代理人 浙江優(yōu)緯光電科技有限公司
地址 322000 浙江省金華市義烏市稠州西路427號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于光電子技術領域，特別涉及一種AlGaN基深紫外LED器件，襯底是藍寶石、碳化硅或AlN等，器件外延結構包括AlN本征層、n型AlGaN底層、AlGaN多量子阱有源區(qū)、p型層，其中采用纖鋅礦氮化硼(WBN)作為p型層材料。還提供了該器件的制造方法。本發(fā)明運用BN作為p型層，具有高導電率和對紫外線透明等優(yōu)點，要優(yōu)于傳統(tǒng)的p型AlGaN層。