一種InGaN基藍光LED器件及其制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201210476604.4 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN103022292A | 公開（公告）日 | 2013-04-03 |
| 申請公布號 | CN103022292A | 申請公布日 | 2013-04-03 |
| 分類號 | H01L33/10(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 胡斌;盧細中 | 申請（專利權(quán)）人 | 浙江優(yōu)緯光電科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 杭州杭誠專利事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 浙江優(yōu)緯光電科技有限公司 |
| 地址 | 322000 浙江省金華市義烏市稠州西路427號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明屬于光電子技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種InGaN基藍光LED器件，其結(jié)構(gòu)自襯底向上依次為：半球狀表面的圖形化藍寶石襯底、本征GaN層、n型GaN層、數(shù)個周期的InGaN/InGaN多量子阱層、p型AlGaN電子阻擋層、p型GaN層，其中，在n型GaN層上設(shè)有負電極，p型GaN層上覆蓋有ITO薄膜并設(shè)有正電極。本發(fā)明通過采用將空洞間隙結(jié)構(gòu)和InGaN/InGaN多量子阱層結(jié)合，大大提高了LED的外量子效率。 |
