一種管式PECVD沉積氮化硅疊層減反射膜工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810413659.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN108695408A 公開（公告）日 2018-10-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN108695408A 申請(qǐng)公布日 2018-10-23
分類號(hào) H01L31/18;H01L31/0216;H01L21/318 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄒臻峰;程亮 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上饒市弘業(yè)新能源有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南昌恒橋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 江西展宇新能源股份有限公司;江西展宇新能科技有限公司;上饒市弘業(yè)新能源有限公司;上饒捷泰新能源科技有限公司
地址 334100 江西省上饒市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)旭日片區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種管式PECVD沉積氮化硅疊層減反射膜工藝。通過改進(jìn)的管式PECVD沉積氮化硅疊層減反射膜工藝，其既兼顧了雙/多層減反射膜與漸變膜的優(yōu)勢(shì)，同時(shí)又彌補(bǔ)了雙/多層減反射膜與漸變膜的不足之處。最終實(shí)現(xiàn)鍍膜后的硅片少子壽命和太陽能晶硅電池端效率的提高，故而它也適用于單晶/多晶常規(guī)與高效PERC電池。本發(fā)明相對(duì)雙以及多層減反膜，具備更低的氮化硅吸光系數(shù)，降低了氮化硅薄膜對(duì)光的吸收，增加光生載流子；寬帶增加，進(jìn)一步增強(qiáng)了300?580 nm短波段和800?1100 nm長波段光譜響應(yīng)；降低了不同膜層界面的應(yīng)力分布，提高了膜層抗損傷能力，從而使鈍化效果達(dá)到最佳。