一種解決鑄造晶體硅長晶陰影缺陷的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410179617.4 申請日 -
公開（公告）號 CN103981569B 公開（公告）日 2017-08-18
申請公布號 CN103981569B 申請公布日 2017-08-18
分類號 C30B28/06;C30B29/06;C30B11/00 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 楊曉琴;陳園;柳杉;吳曉宇;殷建安;梅超;張偉;王鵬;黃治國 申請（專利權(quán)）人 上饒市弘業(yè)新能源有限公司
代理機構(gòu) 江西省專利事務(wù)所 代理人 楊志宇
地址 334100 江西省上饒市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)旭日片區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種解決鑄造晶體硅長晶陰影缺陷的方法，其方法步驟如下1.確定長晶陰影缺陷出現(xiàn)的長晶階段。2.測量長晶速率。3.根據(jù)長晶速率調(diào)整長晶工藝配方。本技術(shù)方法針對性的解決了鑄造晶體硅定向凝固長晶過程中出現(xiàn)的長晶陰影缺陷，最終提高了晶體硅太陽能電池片的光電轉(zhuǎn)換效率。