一種分流式CVD沉積室
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202020006486.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN211713196U | 公開（公告）日 | 2020-10-20 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN211713196U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-10-20 |
| 分類號(hào) | C23C16/455(2006.01)I;C23C16/32(2006.01)I | 分類 | 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 白秋云 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 成都超純應(yīng)用材料有限責(zé)任公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都睿道專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 潘育敏 |
| 地址 | 610200四川省成都市雙流區(qū)西航港空港二路1166號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種分流式CVD沉積室，涉及復(fù)合材料制備的技術(shù)領(lǐng)域，包括沉積筒和進(jìn)氣室，沉積筒內(nèi)設(shè)有隔板，隔板將沉積筒分為上腔室和下腔室；上腔室包括第二固定筒，第二固定筒的底部與隔板之間連接；下腔室包括引流筒和第一固定筒，第一固定筒的另一端與隔板之間留有氣體流通的第一通道，引流筒的另一端與下腔室底部之間留有氣體流通的第二通道；進(jìn)氣室內(nèi)設(shè)有進(jìn)氣管，沉積筒內(nèi)設(shè)有與進(jìn)氣管連接的輸氣組件，輸氣組件包括上排氣室、主氣室、從氣管和引流管，上排氣室置于上腔室內(nèi)，主氣室和從氣管設(shè)于下腔室內(nèi)，引流管的底部和從氣管設(shè)于主氣室的上部，且均與主氣室連通，引流管的頂部還與上排氣室連通，上排氣室和從氣管上均設(shè)有排氣孔。?? |
