一種CVD碳化硅進(jìn)氣系統(tǒng)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202020014529.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN211713197U | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-10-20 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN211713197U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-10-20 |
| 分類(lèi)號(hào) | C23C16/455(2006.01)I;C23C16/32(2006.01)I | 分類(lèi) | 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 白秋云 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 成都超純應(yīng)用材料有限責(zé)任公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都睿道專(zhuān)利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 潘育敏 |
| 地址 | 610200四川省成都市雙流區(qū)西航港空港二路1166號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型涉及CVD碳化硅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種CVD碳化硅進(jìn)氣系統(tǒng)，包括反應(yīng)腔和混氣罐，所述混氣罐一側(cè)固定連通有三個(gè)供氣管，所述混氣罐另一側(cè)固定連通有進(jìn)氣管，所述反應(yīng)腔一側(cè)設(shè)置有真空泵，所述反應(yīng)腔上還固定連通有出氣管，所述反應(yīng)腔外側(cè)壁上呈周向均勻地固定連接有若干個(gè)固定機(jī)構(gòu)，若干個(gè)所述固定機(jī)構(gòu)上固定連接有通氣管道，且所述通氣管道纏繞在所述反應(yīng)腔外側(cè)壁上，所述進(jìn)氣管與所述通氣管道之間相互連通，所述通氣管道內(nèi)側(cè)呈周向均勻地固定連通有三個(gè)進(jìn)氣口，且三個(gè)所述進(jìn)氣口均分別與所述反應(yīng)腔相連通。該CVD碳化硅進(jìn)氣系統(tǒng)通過(guò)多孔進(jìn)氣的方式，從而能夠有效地解決了工件表面cvd沉積厚度不均勻的問(wèn)題，實(shí)用性強(qiáng)。?? |
