一種發(fā)光二極管的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310642516.1 申請日 -
公開（公告）號 CN104681672B 公開（公告）日 2018-02-16
申請公布號 CN104681672B 申請公布日 2018-02-16
分類號 H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱廣敏;郝茂盛 申請（專利權(quán)）人 上海藍(lán)光科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 李儀萍
地址 201210 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)芳春路400號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管的制造方法，包括步驟：1）于生長襯底表面形成發(fā)光外延結(jié)構(gòu)；2）于各該發(fā)光單元中同時(shí)刻蝕出N電極平臺及多個(gè)孔洞，且多個(gè)孔洞位于N電極平臺及P電極之間；3）正切形成多個(gè)切割溝槽；4）沉積SiO2層，并去除各該孔洞內(nèi)的SiO2層；5）采用化學(xué)腐蝕法于各該孔洞底部腐蝕出多個(gè)位錯坑，并同時(shí)去除各該切割溝槽內(nèi)的殘留物；6）再次形成SiO2層；7）去除部分的SiO2層，保留各該孔洞底部及側(cè)壁、以及位于P電極下方的SiO2層；8）形成電流擴(kuò)展層；9）制備P電極及N電極。本發(fā)明通過在P電極與N電極之間制作多個(gè)孔洞，且于孔洞底部形成位錯坑，可以減少發(fā)光二極管的電流擁堵，提高電流分布均勻性，并提高發(fā)光二極管的出光效率。