ITO薄膜的制備方法及采用該ITO薄膜的LED芯片的制作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201310430140.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN104465933B | 公開(kāi)（公告）日 | 2018-03-06 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN104465933B | 申請(qǐng)公布日 | 2018-03-06 |
| 分類號(hào) | H01L33/42;H01L33/00;C23C14/35 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 朱秀山;郝茂盛;齊勝利 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海藍(lán)光科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 李儀萍 |
| 地址 | 201210 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)芳春路400號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種ITO薄膜的制備方法，至少包括以下步驟：S1：提供一襯底，將所述襯底放置于磁控濺射設(shè)備腔體內(nèi)，并通入氬氣，然后利用射頻電源使氬氣起輝并產(chǎn)生氬等離子體；S2：再施加直流電源，在所述襯底表面形成一ITO保護(hù)層；S3：關(guān)掉所述射頻電源；在所述磁控濺射設(shè)備腔體內(nèi)通入預(yù)設(shè)流量的輔助氣體，在所述ITO保護(hù)層上形成至少一層折射率小于所述ITO保護(hù)層折射率的ITO薄膜層；所述ITO保護(hù)層及其上所有的ITO薄膜層共同形成折射率漸變的ITO薄膜。使用該ITO薄膜的LED芯片中，光在各介質(zhì)膜層的逸出角較大，既使量子阱發(fā)出光能夠盡可能多的逸出到ITO膜層，又能使得ITO膜層中的光盡可能的逸出到封裝膠外，從而提升了發(fā)光二極管的外量子發(fā)光效率，提升器件的亮度。 |
