一種發(fā)光二極管的制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310159996.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN104134728B 公開（公告）日 2018-10-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN104134728B 申請(qǐng)公布日 2018-10-09
分類號(hào) H01L33/10;H01L33/22 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱廣敏;郝茂盛;齊勝利;陳耀;張楠;楊杰;袁根如;陳誠 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海藍(lán)光科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 余明偉
地址 201210 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)芳春路400號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管的制造方法，包括步驟：1）于生長襯底表面形成至少包括N型層、量子阱層及P型層的發(fā)光外延結(jié)構(gòu)；2）形成N電極制備區(qū)域；3）對(duì)P型層欲制備P電極的區(qū)域的表面制備圖案化結(jié)構(gòu)；4）于圖案化結(jié)構(gòu)表面形成金屬反射鏡；5）于金屬反射鏡表面形成透明絕緣層；6）于P型層及透明絕緣層表面形成電流擴(kuò)展層；7）制作N電極及P電極。本發(fā)明于P電極下方增加金屬反射鏡/絕緣層結(jié)構(gòu)，在節(jié)約電流的同時(shí)大大地降低了P電極對(duì)光線的吸收，對(duì)金屬反射鏡下方的P型層進(jìn)行粗化，增加出光概率，同時(shí)有益于P電極的牢固性。本發(fā)明工藝步驟簡單，適用于工業(yè)生產(chǎn)。