一種用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生長(zhǎng)的襯底結(jié)構(gòu)及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201310548758.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN104638068B | 公開(kāi)（公告）日 | 2018-08-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN104638068B | 申請(qǐng)公布日 | 2018-08-24 |
| 分類號(hào) | H01L33/00;H01L33/12 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 郝茂盛;朱廣敏;袁根如;邢志剛;李振毅;齊勝利;劉文弟 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海藍(lán)光科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 上海藍(lán)光科技有限公司;上海芯元基半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 地址 | 201210 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)芳春路400號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種用于Ⅲ?Ⅴ族氮化物生長(zhǎng)的襯底結(jié)構(gòu)及其制造方法，所述制造方法包括以下步驟：1）提供一生長(zhǎng)襯底，于所述生長(zhǎng)襯底表面形成用于后續(xù)發(fā)光外延結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)的緩沖層；2）于所述緩沖層表面形成SiO2層；3）通過(guò)光刻工藝將所述SiO2層刻蝕出間隔排列的多個(gè)SiO2凸起，且露出各該SiO2凸起之間的緩沖層。本發(fā)明先制備一層含有六角晶格結(jié)構(gòu)的BN材料層或AlN層或AlxGa1?xN層，作為發(fā)光外延結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)的緩沖層，然后通過(guò)光刻膠的加熱回流工藝和ICP刻蝕工藝制備出周期性排列的包狀的SiO2凸起，本發(fā)明既能保證生長(zhǎng)發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的晶體質(zhì)量，又能提高發(fā)光二極管的出光效率。本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單，有利于降低制造成本，適用于工業(yè)生產(chǎn)。 |
