一種用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生長的襯底結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310548758.4 申請日 -
公開（公告）號 CN104638068B 公開（公告）日 2018-08-24
申請公布號 CN104638068B 申請公布日 2018-08-24
分類號 H01L33/00;H01L33/12 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郝茂盛;朱廣敏;袁根如;邢志剛;李振毅;齊勝利;劉文弟 申請（專利權(quán)）人 上海藍(lán)光科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 上海藍(lán)光科技有限公司;上海芯元基半導(dǎo)體科技有限公司
地址 201210 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)芳春路400號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種用于Ⅲ?Ⅴ族氮化物生長的襯底結(jié)構(gòu)及其制造方法，所述制造方法包括以下步驟：1）提供一生長襯底，于所述生長襯底表面形成用于后續(xù)發(fā)光外延結(jié)構(gòu)生長的緩沖層；2）于所述緩沖層表面形成SiO2層；3）通過光刻工藝將所述SiO2層刻蝕出間隔排列的多個(gè)SiO2凸起，且露出各該SiO2凸起之間的緩沖層。本發(fā)明先制備一層含有六角晶格結(jié)構(gòu)的BN材料層或AlN層或AlxGa1?xN層，作為發(fā)光外延結(jié)構(gòu)生長的緩沖層，然后通過光刻膠的加熱回流工藝和ICP刻蝕工藝制備出周期性排列的包狀的SiO2凸起，本發(fā)明既能保證生長發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的晶體質(zhì)量，又能提高發(fā)光二極管的出光效率。本發(fā)明工藝簡單，有利于降低制造成本，適用于工業(yè)生產(chǎn)。