一種用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物生長的襯底結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310643632.5 申請日 -
公開（公告）號 CN104681681B 公開（公告）日 2019-01-04
申請公布號 CN104681681B 申請公布日 2019-01-04
分類號 H01L33/22;H01L33/12;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郝茂盛;朱廣敏;袁根如;邢志剛;李振毅 申請（專利權(quán)）人 上海藍(lán)光科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 上海藍(lán)光科技有限公司;上海芯元基半導(dǎo)體科技有限公司
地址 201210 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)芳春路400號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種用于Ⅲ?Ⅴ族氮化物生長的襯底結(jié)構(gòu)及其制造方法，所述制造方法包括步驟：1）于生長襯底中定義出多個(gè)圖形單元，并于所述多個(gè)圖形單元間形成V型溝槽；2）于各該圖形單元表面形成緩沖層；3）于各該緩沖層表面形成SiO2層；4）于各該SiO2層的中部區(qū)域刻蝕出間隔排列的多個(gè)SiO2凸起，并保留所述緩沖層周側(cè)區(qū)域的SiO2周側(cè)層。本發(fā)明先采用V型溝槽隔出多個(gè)圖形單元，然后制備一層含有六角晶格結(jié)構(gòu)的用于發(fā)光外延結(jié)構(gòu)生長的緩沖層，并通過刻蝕工藝制備出包狀SiO2凸起以及SiO2周側(cè)層，所述包狀SiO2凸起既能保證生長發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的晶體質(zhì)量，又能提高出光效率，所述SiO2周側(cè)層能限制發(fā)光外延結(jié)構(gòu)在所述V型溝槽附近的垂直生長，提高發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的晶體質(zhì)量。