LED器件結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310654326.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103682022B 公開(kāi)（公告）日 2018-05-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN103682022B 申請(qǐng)公布日 2018-05-29
分類號(hào) H01L33/38;H01L33/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉亞柱;呂振興;齊勝利 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海藍(lán)光科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 李儀萍
地址 201210 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)芳春路400號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種所述LED器件結(jié)構(gòu)，從下至上依次包括：半導(dǎo)體襯底、P型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和N型半導(dǎo)體材料層，且暴露出部分N型半導(dǎo)體材料層。P型半導(dǎo)體材料層和N型半導(dǎo)體材料層上分別形成有互相分離的P?電極和N?電極，P?電極和N?電極且均分別包括絕緣層、透明導(dǎo)電層和金屬層，所述金屬層互相連接的P?塊形金屬電極部和P?線形金屬電極部與互相連接的N?塊形金屬電極部和N?線形金屬電極部；所述N?塊形金屬電極部自所述N?線形金屬電極部起朝所述P?塊形金屬電極部的方向延伸，所述N?電極的絕緣層位于所述N?線性金屬電極部的正下方。本發(fā)明通過(guò)在所述N?線性金屬電極部的正下方設(shè)置絕緣層，增加N型GaN層中電流分布均勻性，進(jìn)而提高LED器件的亮度。