一種發(fā)光二極管的正面切割工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310103699.X 申請日 -
公開（公告）號 CN104078534B 公開（公告）日 2018-07-10
申請公布號 CN104078534B 申請公布日 2018-07-10
分類號 H01L33/00;B23K26/38 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊杰;張楠;袁根如;朱秀山;陳鵬;陳耀 申請（專利權(quán)）人 上海藍光科技有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 余明偉
地址 201210 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)芳春路400號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管的正面切割工藝，包括步驟：1）于半導體襯底表面形成至少包括N型層、量子阱層及P型層的發(fā)光外延結(jié)構(gòu)；2）定義出多個發(fā)光單元，并于各該發(fā)光單元間刻蝕出直至所述半導體襯底的多個走道；3）于各該發(fā)光單元中形成N電極制備區(qū)域；4）于各該發(fā)光單元的P型層表面形成透明導電層，于透明導電層表面制備P電極，并于N電極制備區(qū)域制備N電極；5）對各該走道進行激光正面切割工藝，于所述半導體襯底中形成與各該發(fā)光單元對應的多個切割痕；6）依據(jù)各切割痕進行裂片。本發(fā)明提供了一種發(fā)光二極管的激光正面切割方法，可以有效避免激光對發(fā)光二極管的損傷，提高發(fā)光二極管的亮度以及良率，工藝簡單，適用于工藝生產(chǎn)。