一種基于納米線交叉互聯(lián)的納米線器件制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110144804.5 申請日 -
公開（公告）號 CN102259833B 公開（公告）日 2014-11-05
申請公布號 CN102259833B 申請公布日 2014-11-05
分類號 H01L21/20(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃輝;渠波 申請（專利權(quán)）人 深圳感圣科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京金之橋知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 黃輝;渠波
地址 116024 遼寧省大連市甘井子區(qū)凌工路2號理工大學(xué)創(chuàng)新園大廈A328
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種基于納米線交叉互聯(lián)的納米線器件制備方法。本發(fā)明的特征是：在半導(dǎo)體襯底的頂層薄層上通過刻蝕形成臺面結(jié)構(gòu)，以襯底表面作為基底生長具有“芯-包層”器件結(jié)構(gòu)的納米線，納米線的包層與臺面?zhèn)缺诘碾娺B接通過后續(xù)生長的納米線實(shí)現(xiàn)；其中后續(xù)生長的納米線，是以臺面的側(cè)壁或以“芯-包層”納米線的側(cè)壁作為生長的基底，側(cè)向生長從而實(shí)現(xiàn)納米線器件的包層與臺面?zhèn)缺谥g的電連接。該方法無需采用精細(xì)昂貴的電子束光刻工藝、也無需移動(dòng)和操控納米線，具有工藝簡單、適合規(guī)?；苽涞奶攸c(diǎn)。