一種基于橋接生長的納米線器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610213762.9 申請日 -
公開（公告）號 CN105845714A 公開（公告）日 2016-08-10
申請公布號 CN105845714A 申請公布日 2016-08-10
分類號 H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃輝;渠波 申請（專利權(quán)）人 深圳感圣科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京金之橋知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 黃輝;渠波;深圳感圣科技有限公司
地址 116024 遼寧省大連市高新區(qū)凌工路2號大連理工大學(xué)創(chuàng)新園大廈A1226室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種基于橋接生長的納米線器件及其制備方法。本發(fā)明的一種基于橋接生長的納米線器件，包括設(shè)置有凹槽結(jié)構(gòu)的絕緣襯底、導(dǎo)電薄膜和納米線，導(dǎo)電薄膜設(shè)置在凹槽結(jié)構(gòu)的兩個側(cè)壁上，一個側(cè)壁上的導(dǎo)電薄膜作為納米線器件的源電極，另一個側(cè)壁上的導(dǎo)電薄膜作為納米線器件的漏電極，源電極與漏電極通過納米線連接。其有益效果是：本發(fā)明的納米線器件具有工藝簡單、電接觸性能良好的特點(diǎn)；在納米線生長過程中即可完成納米線器件的制備，省略了傳統(tǒng)的納米線剝離、轉(zhuǎn)移和排列等步驟，消除了納米線表面的污染和損傷，并改善了金屬電極與納米線之間的電接觸特性。