一種基于納米線交叉互聯(lián)的納米線器件制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110144804.5 申請日 -
公開（公告）號 CN102259833A 公開（公告）日 2011-11-30
申請公布號 CN102259833A 申請公布日 2011-11-30
分類號 B82B3/00(2006.01)I;B82B1/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 分類 超微技術〔7〕;
發(fā)明人 黃輝;渠波 申請（專利權）人 深圳感圣科技有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 116024 遼寧省大連市甘井子區(qū)凌工路2號理工大學創(chuàng)新園大廈A328
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種基于納米線交叉互聯(lián)的納米線器件制備方法，本發(fā)明的特征是：在半導體襯底上通過刻蝕形成臺面結構，以臺面底部作為基底生長具有“芯-包層”器件結構的納米線，納米線的包層與臺面?zhèn)缺诘碾娺B接通過后續(xù)生長的納米線實現(xiàn)；其中后續(xù)生長的納米線，是以臺面的側壁或以“芯-包層”納米線的側壁作為生長的基底，側向生長從而實現(xiàn)納米線器件的包層與臺面?zhèn)缺谥g的電連接。該方法無需采用精細昂貴的電子束光刻工藝、也無需移動和操控納米線，具有工藝簡單、適合規(guī)模化制備的特點。