一種半導體材料的化學氣相沉積裝置及其方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510169557.2 申請日 -
公開（公告）號 CN106148913B 公開（公告）日 2018-10-23
申請公布號 CN106148913B 申請公布日 2018-10-23
分類號 C23C16/44;C23C16/34 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 占婷婷;黃輝;渠波;趙丹娜;宗楊;呂瑞 申請（專利權）人 深圳感圣科技有限公司
代理機構 北京金之橋知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 黃輝;渠波;趙丹娜;深圳感圣科技有限公司
地址 116024 遼寧省大連市高新區(qū)凌工路2號大連理工大學創(chuàng)新園大廈A1226室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種半導體材料的化學氣相沉積裝置及其半導體材料的生長方法。一種半導體材料的化學氣相沉積裝置，包括反應室、設置在反應室中的襯底和加熱器、傳輸管路，所述加熱器用于加熱所述襯底，所述傳輸管路連接反應室，其特征在于：所述傳輸管路中設置有離化裝置。其有益效果是：通過在氣體傳輸管路中加入離化裝置，使得氣態(tài)源在傳輸管路中被離化，從而降低生長溫度、提高氣態(tài)源的裂解效率，并具有裝置簡單、安全、低成本的優(yōu)勢。