半導(dǎo)體基板及其制造方法和半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011195900.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114446994A 公開（公告）日 2022-05-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN114446994A 申請(qǐng)公布日 2022-05-06
分類號(hào) H01L27/12（2006.01）I;H01L23/60（2006.01）I;H01L21/84（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃河;汪新學(xué);徐海瑛;王敬平 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中芯集成電路（寧波）有限公司上海分公司
代理機(jī)構(gòu) 北京思創(chuàng)大成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張立君
地址 201210上海市浦東新區(qū)中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)蔡倫路85弄95號(hào)1幢3樓C區(qū)309
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體基板及其制造方法和半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制造方法，其中，半導(dǎo)體基板從下至上包括：疊置的襯底層、絕緣層和半導(dǎo)體層；靜電體，貫穿所述半導(dǎo)體層和所述絕緣層，所述靜電體的底部延伸至所述襯底層，所述半導(dǎo)體基板包括器件區(qū)和非器件區(qū)，所述靜電體設(shè)置于所述非器件區(qū)。本發(fā)明的半導(dǎo)體基板通過(guò)在非器件區(qū)形成靜電體，在后續(xù)刻蝕工藝中在半導(dǎo)體層中產(chǎn)生的靜電荷可以通過(guò)靜電體進(jìn)入襯底層，防止尖端放電。