半導(dǎo)體基板及其制造方法和半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011191913.8 申請日 -
公開（公告）號 CN114446936A 公開（公告）日 2022-05-06
申請公布號 CN114446936A 申請公布日 2022-05-06
分類號 H01L23/60（2006.01）I;H01L27/12（2006.01）I;H01L21/84（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃河;汪新學(xué);徐海瑛;王敬平 申請（專利權(quán)）人 中芯集成電路（寧波）有限公司上海分公司
代理機(jī)構(gòu) 北京思創(chuàng)大成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張立君
地址 201210上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)蔡倫路85弄95號1幢3樓C區(qū)309
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體基板及其制造方法和半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制造方法，其中，半導(dǎo)體基板從下至上包括：疊置的襯底層、絕緣層和半導(dǎo)體層；所述絕緣層和所述半導(dǎo)體層在所述襯底層表面方向上的投影位于所述襯底層的邊界內(nèi)；靜電環(huán)，環(huán)繞于所述絕緣層和所述半導(dǎo)體層的外周，且所述靜電環(huán)的內(nèi)側(cè)壁與所述半導(dǎo)體層的外側(cè)壁相接，所述靜電環(huán)的底部延伸至所述襯底層；所述半導(dǎo)體基板包括器件區(qū)和非器件區(qū)，所述靜電環(huán)設(shè)置于所述非器件區(qū)。本發(fā)明通過在半導(dǎo)體基板的絕緣層和半導(dǎo)體層的外周形成連接襯底層和半導(dǎo)體層的靜電環(huán)，在后續(xù)刻蝕工藝中在半導(dǎo)體層中產(chǎn)生的靜電荷可以通過靜電環(huán)進(jìn)入襯底層，防止尖端放電。