一種多弧離子鍍設備的電弧靶的位置結(jié)構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410624933.8 申請日 -
公開（公告）號 CN104372303B 公開（公告）日 2017-01-18
申請公布號 CN104372303B 申請公布日 2017-01-18
分類號 C23C14/46(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 李功偉;張波;呂瑩 申請（專利權）人 儀征雙環(huán)設備制造有限公司
代理機構 揚州市錦江專利事務所 代理人 儀征雙環(huán)設備制造有限公司;儀征亞新科雙環(huán)活塞環(huán)有限公司
地址 211400 江蘇省揚州市儀征市揚子東路94號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種多弧離子鍍設備的電弧靶的位置結(jié)構，涉及離子鍍膜設備技術領域。本發(fā)明包括真空腔體，在真空腔體的中心設置工件架，在工件架四周、于真空腔體每側(cè)的壁面上分別依次間隔設置第一電弧靶和第二電弧靶；第一電弧靶包括若干個由上至下均布的單一金屬靶材；第二電弧靶包括若干個由上至下均布的多元元素靶材；每相鄰的第一電弧靶與第二電弧靶上的單一金屬靶材和多元元素靶材之間分別呈螺旋布置；全數(shù)的單一金屬靶材和全數(shù)的多元元素靶材在高度方向上由上至下分別間隔布置且之間距離相等。本發(fā)明同一爐次制備出多層結(jié)構的PVD硬質(zhì)鍍層，且制備出的PVD鍍層的元素含量基本一致，厚度均勻性和鍍層成分均勻性得到了保障。