一種高通量電子束組合材料蒸發(fā)系統(tǒng)及其方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201910727547.4 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112342503A | 公開（公告）日 | 2021-02-09 |
| 申請公布號 | CN112342503A | 申請公布日 | 2021-02-09 |
| 分類號 | C23C14/30(2006.01)I; | 分類 | 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 余應(yīng)明;郭鴻杰;魯森錢 | 申請（專利權(quán)）人 | 寧波星河材料科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 上海一平知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 徐迅;唐雪嬌 |
| 地址 | 315000浙江省寧波市寧波高新區(qū)寧波新材料創(chuàng)新中心東區(qū)1幢1號10-4-1 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及真空鍍膜系統(tǒng)領(lǐng)域，公開了一種高通量電子束組合材料蒸發(fā)系統(tǒng)及其方法。該高通量電子束組合材料蒸發(fā)系統(tǒng)包括：真空腔體，所述真空腔體設(shè)置為真空；電子束蒸發(fā)裝置，設(shè)置于所述真空腔體下部；基片托架，設(shè)置于所述真空腔體上部，用于放置基片；連續(xù)掩膜裝置和/或分立掩膜裝置，設(shè)置于所述真空腔體上部，位于所述基片托架和所述電子束蒸發(fā)裝置之間。本發(fā)明的高通量電子束組合材料蒸發(fā)系統(tǒng)，實現(xiàn)了高通量材料樣品的制備，大大提高了組合材料樣品的制備效率。?? |
