一種適用于PECVD設(shè)備制備氧化層工藝的氣路傳輸系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120111015.0 申請日 -
公開（公告）號 CN214327882U 公開（公告）日 2021-10-01
申請公布號 CN214327882U 申請公布日 2021-10-01
分類號 C23C16/50（2006.01）I;C23C16/40（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I;C23C16/448（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 王玉明;周玉龍;孫燁;張庶;李敦信;張欣;閆寶杰;李軼軍;楊寶海 申請（專利權(quán)）人 營口金辰機(jī)械股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 沈陽亞泰專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 周濤
地址 115000遼寧省營口市沿海產(chǎn)業(yè)基地新港大街95號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種適用于PECVD設(shè)備制備氧化層工藝的氣路傳輸系統(tǒng)屬于管式PECVD設(shè)備制備氧化層工藝設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。具體地說，本實(shí)用新型提供一種能在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)形成沉積膜，從而能制備出較薄且均勻性、一致性好的氧化層膜的適用于PECVD設(shè)備制備氧化層工藝的氣路傳輸系統(tǒng)。本實(shí)用新型的特征在于：特氣氣路包括源管道、第一管道、第二管道、氮?dú)夤艿篮脱鯕夤艿?。所述氣源氣路包括氮?dú)鈿庠础⒀鯕鈿庠春蜌鍤鈿庠?。所述氮?dú)鈿庠赐ㄟ^特氣氣路的氮?dú)夤艿琅c反應(yīng)腔連接；所述氧氣氣源通過特氣氣路的氧氣管道與反應(yīng)腔連接；所述氬氣氣源通過特氣氣路的源管道與反應(yīng)腔連接，反應(yīng)腔末端為真空泵。