一種提高ITO透明電極與p型III-V族半導(dǎo)體材料的接觸性能的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110349040.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113161460A 公開（公告）日 2021-07-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN113161460A 申請(qǐng)公布日 2021-07-23
分類號(hào) H01L33/42（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I;H01L21/28（2006.01）I;H01L29/45（2006.01）I;H01S5/042（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔣盛翔;付建波;宗華;張曉蓉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廣西颶芯科技有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京君尚知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 邱曉鋒
地址 545003廣西壯族自治區(qū)柳州市楊柳路與通賢路交叉路口北部生態(tài)新區(qū)創(chuàng)業(yè)園二期（智能電網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)廠房）-1-1＃樓第一層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種提高ITO透明電極與p型III?V族半導(dǎo)體材料的接觸性能的方法。該方法中，ITO電極的制備過程包括生長(zhǎng)工藝和退火工藝，所述退火工藝包括兩個(gè)階段：第一階段為，第二階段為純氮?dú)夥諊嘶?。退火工藝主要有兩個(gè)目的，第一是形成良好的歐姆接觸，使得電極有較低的比接觸電阻率，第二是有較好的透光性，降低對(duì)光的吸收。本發(fā)明的核心是通過改進(jìn)ITO電極的生長(zhǎng)和退火工藝來獲得低至10Ω·cm的比接觸電阻率，同時(shí)兼顧較高的平面導(dǎo)電性和高的透光率，這極大的提高了Ⅲ/Ⅴ族氮化物半導(dǎo)體光電器件的性能，推進(jìn)了其廣泛應(yīng)用，具有重要的科技意義和經(jīng)濟(jì)價(jià)值。