一種降低p型III-V族半導(dǎo)體材料與接觸電極的比接觸電阻率的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110256743.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113421917A 公開（公告）日 2021-09-21
申請公布號 CN113421917A 申請公布日 2021-09-21
分類號 H01L29/45（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I;H01L33/40（2010.01）I;H01S5/042（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 宗華;付建波;蔣盛翔;張曉蓉 申請（專利權(quán)）人 廣西颶芯科技有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京君尚知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 邱曉鋒
地址 545003廣西壯族自治區(qū)柳州市楊柳路與通賢路交叉路口北部生態(tài)新區(qū)創(chuàng)業(yè)園二期（智能電網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)廠房）-1-1＃樓第一層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種降低p型III?V族半導(dǎo)體材料與接觸電極的比接觸電阻率的方法。該方法使用一組優(yōu)化的參數(shù)來生長接觸層，包括：使用N2、H2混合載氣生長接觸層；使用TMGa生長接觸層；使用較高的反應(yīng)腔室氣壓來生長接觸層；在較高溫度和較低In源流量的條件下生長接觸層。本發(fā)明提高了接觸界面的空穴濃度，使得接觸電極與半導(dǎo)體界面的肖特基勢壘變薄，電子可以通過隧穿效應(yīng)穿過界面勢壘，形成良好的歐姆接觸，降低接觸電阻，進(jìn)而降低發(fā)熱量，提高器件壽命。本發(fā)明對降低比接觸電阻率有優(yōu)異的效果，并且具有制備效率高，材料適應(yīng)性更廣泛的特點(diǎn)，從而更具有使用價值。