低功耗單柵非揮發(fā)性存儲(chǔ)器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410168306.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103928053B 公開(kāi)（公告）日 2017-06-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN103928053B 申請(qǐng)公布日 2017-06-09
分類(lèi)號(hào) G11C16/06(2006.01)I 分類(lèi) 信息存儲(chǔ);
發(fā)明人 陳力穎;楊曉龍;楊亞楠;秦戰(zhàn)明 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 北京中澤艾派克斯光電技術(shù)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 300387 天津市西青區(qū)賓水西道399號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明是一種與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝兼容的低功耗單柵非揮發(fā)性存儲(chǔ)器。它由多個(gè)存儲(chǔ)單元和電平預(yù)置單元電路組成。每個(gè)存儲(chǔ)單元包括：電荷注入晶體管(N1)、電荷泄放晶體管(P1)、隧穿選擇晶體管(P2)以及輸出控制晶體管(N2)；每個(gè)電平預(yù)置單元包括：三個(gè)反相器(INV1)(INV2)(INV3)和電平預(yù)置晶體管(P3)。采用NMOS作為讀取管，使得存儲(chǔ)器控制端少，所需控制電壓種類(lèi)也少，無(wú)需負(fù)電壓，因而控制簡(jiǎn)單。因?yàn)榕cCMOS工藝兼容，所以本發(fā)明具有功耗低、成本低的優(yōu)點(diǎn)。