低功耗單柵非揮發(fā)性存儲器
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201410168306.8 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN103928053A | 公開（公告）日 | 2014-07-16 |
| 申請公布號 | CN103928053A | 申請公布日 | 2014-07-16 |
| 分類號 | G11C16/06(2006.01)I | 分類 | 信息存儲; |
| 發(fā)明人 | 陳力穎;楊曉龍;楊亞楠;秦戰(zhàn)明 | 申請（專利權(quán)）人 | 北京中澤艾派克斯光電技術(shù)股份有限公司 |
| 代理機構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 300387 天津市西青區(qū)賓水西道399號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明是一種與標準CMOS工藝兼容的低功耗單柵非揮發(fā)性存儲器。它由多個存儲單元和電平預(yù)置單元電路組成。每個存儲單元包括：電荷注入晶體管(N1)、電荷泄放晶體管(P1)、隧穿選擇晶體管(P2)以及輸出控制晶體管(N2)；每個電平預(yù)置單元包括：三個反相器(INV1)(INV2)(INV3)和電平預(yù)置晶體管(P3)。采用NMOS作為讀取管，使得存儲器控制端少，所需控制電壓種類也少，無需負電壓，因而控制簡單。因為與CMOS工藝兼容，所以本發(fā)明具有功耗低、成本低的優(yōu)點。 |
