超臨界流體制備高純度硅的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910639067.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112209381A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-01-12 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112209381A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-01-12 |
| 分類(lèi)號(hào) | C01B33/023(2006.01)I | 分類(lèi) | 無(wú)機(jī)化學(xué); |
| 發(fā)明人 | 彭靖;馬承愚;彭英利;周玉 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 深圳市智合碳硅科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 518109廣東省深圳市龍華區(qū)龍華街道玉翠社區(qū)昌永路智和科技園5號(hào)203 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 采用超臨界水作為制備高純硅的介質(zhì)，在超臨界狀態(tài)(500?600℃和25?35MPa)下及氫氣參與下，對(duì)同程進(jìn)入反應(yīng)系統(tǒng)的硅質(zhì)原料進(jìn)行處理，使硅材料中的微量雜質(zhì)發(fā)生分離和還原反應(yīng)，在較短時(shí)間內(nèi)，雜質(zhì)被去除，同時(shí)還原成為高純度硅單質(zhì)。制備過(guò)程中，超臨界水與H2合理配合，在高溫高壓條件下和密閉的反應(yīng)裝置中形成均相的超臨界混合流體，以極快速度(1?3min)使硅原料發(fā)生溶解、還原、去雜、聚集和沉積分離過(guò)程，制備出高純度晶體硅。?? |
