發(fā)熱芯片的制備方法和發(fā)熱芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111031307.4 申請日 -
公開（公告）號 CN114040525A 公開（公告）日 2022-02-11
申請公布號 CN114040525A 申請公布日 2022-02-11
分類號 H05B3/14（2006.01）I;H05B3/20（2006.01）I;B32B33/00（2006.01）I 分類 其他類目不包含的電技術(shù);
發(fā)明人 李永武;楊敏 申請（專利權(quán)）人 光之科技（北京）有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 100086北京市海淀區(qū)成府路45號中關(guān)村智造大街F座二層211
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實施例提出一種發(fā)熱芯片的制備方法及發(fā)熱芯片。制備方法包括選取一基材，并在基材表面涂布預(yù)涂層，并將預(yù)涂層進行第一次固化；在預(yù)涂層上涂布硬化材料，以形成硬化層，并將硬化層進行第二次固化；在硬化層表面真空濺射制熱材料，以形成電熱轉(zhuǎn)換層；將基材和電熱轉(zhuǎn)換層封裝，形成發(fā)熱芯片。本發(fā)明利用預(yù)涂層減小基材表面粗糙度，避免基材上的凸起在熱壓過程中對電熱轉(zhuǎn)換層造成破壞，硬化層防止基材因加熱導(dǎo)致軟化變形，提高制熱材料與基材的結(jié)合力，從而提高發(fā)熱芯片的穩(wěn)定性。