一種磁場輔助激光誘導(dǎo)等離子體加工裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202220081962.4 申請日 -
公開（公告）號 CN216864385U 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN216864385U 申請公布日 2022-07-01
分類號 C30B33/12（2006.01）I;C30B29/20（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 江安娜;李卓;陳嘉林;盧希釗;姜峰 申請（專利權(quán)）人 華僑大學(xué)
代理機(jī)構(gòu) 廈門市首創(chuàng)君合專利事務(wù)所有限公司 代理人 -
地址 362000福建省泉州市豐澤區(qū)城東城華北路269號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種磁場輔助激光誘導(dǎo)等離子體加工裝置，包括加工工作臺部分和激光器部分；加工工作臺部分包括工作臺、電磁鐵裝置、金屬靶材、夾具和工件；電磁鐵裝置包括磁軛和直流電源控制系統(tǒng)，磁軛的每一側(cè)部都固裝有極柱和線圈，直流電源控制系統(tǒng)電接線圈以使極頭中心區(qū)域產(chǎn)生磁場；金屬靶材直接固裝在磁軛的中間部上，工件位于金屬靶材之上且二者平行間隔布置，工件與金屬靶材之間的間隔始終處于磁場區(qū)域內(nèi)；激光器發(fā)出激光束，激光束經(jīng)掃描振鏡轉(zhuǎn)向后通過聚焦透鏡聚焦在工件下方的金屬靶材上并與金屬靶材發(fā)生相互作用。它具有如下優(yōu)點(diǎn)：具有更高精度、更快加工速度、更好表面完整性、更小暗損傷、更低表面粗糙度、更小熱影響區(qū)。