發(fā)光二極管和發(fā)光二極管制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911119307.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110854246B 公開（公告）日 2021-07-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN110854246B 申請(qǐng)公布日 2021-07-30
分類號(hào) H01L33/06（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王晟 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蕪湖德豪潤(rùn)達(dá)光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 石慧
地址 241000安徽省蕪湖市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)緯二次路11號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N發(fā)光二極管和發(fā)光二極管制備方法。每個(gè)子層結(jié)構(gòu)包括第一量子阱結(jié)構(gòu)以及多個(gè)第二量子阱結(jié)構(gòu)。第一量子阱結(jié)構(gòu)替換傳統(tǒng)的量子壘層結(jié)構(gòu)。多個(gè)第二量子阱結(jié)構(gòu)設(shè)置于第一量子阱結(jié)構(gòu)，形成更深層次的量子阱結(jié)構(gòu)。并且，每個(gè)第二量子阱結(jié)構(gòu)的厚度小于第一量子阱結(jié)構(gòu)的厚度，使得第二量子阱結(jié)構(gòu)相比于第一量子阱結(jié)構(gòu)形成窄的量子阱結(jié)構(gòu)。此時(shí)，將傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中的量子壘替換為所述第一量子阱結(jié)構(gòu)。通過多個(gè)第二量子阱結(jié)構(gòu)使得多量子阱層中形成多個(gè)子層深窄多量子阱結(jié)構(gòu)，相比于傳統(tǒng)的量子阱變得更深，使得量子阱對(duì)電子和空穴的限制能力更好，減小發(fā)光波長(zhǎng)的半寬，產(chǎn)生波色更純的、發(fā)光強(qiáng)度更強(qiáng)的指定波段。