發(fā)光二極管以及發(fā)光二極管制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911119309.1 申請日 -
公開（公告）號 CN110707188B 公開（公告）日 2021-05-04
申請公布號 CN110707188B 申請公布日 2021-05-04
分類號 H01L33/06;H01L33/32;H01L33/14;H01L33/12;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王晟 申請（專利權(quán)）人 蕪湖德豪潤達(dá)光電科技有限公司
代理機構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 石慧
地址 241000 安徽省蕪湖市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)緯二次路11號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┮环N發(fā)光二極管以及發(fā)光二極管制備方法。AlN層可以提高能階，阻擋電子溢流。摻鎂InxAlyGa1?x?yN層可以緩解晶格匹配以及提高所述P型半導(dǎo)體層的能階，進(jìn)而更有利于空穴注入。所述摻鎂InGaN層通過增加鎂的含量可以提高空穴濃度。此時，通過每個子半導(dǎo)體層中AlN層、摻鎂InxAlyGa1?x?yN層以及摻鎂InGaN層可以保證晶格質(zhì)量的同時提高M(jìn)g的有效活化，增加空穴濃度。同時，通過AlN層、摻鎂InxAlyGa1?x?yN層以及摻鎂InGaN層可以優(yōu)化能階，進(jìn)而阻擋電子溢流的同時增加空穴濃度。從而，通過阻擋電子溢流的同時增加空穴濃度，可以提高外延良率和發(fā)光效率。