發(fā)光二極管以及發(fā)光二極管制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911119309.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110707188B 公開(kāi)（公告）日 2021-05-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN110707188B 申請(qǐng)公布日 2021-05-04
分類(lèi)號(hào) H01L33/06;H01L33/32;H01L33/14;H01L33/12;H01L33/00 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 王晟 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 蕪湖德豪潤(rùn)達(dá)光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 代理人 石慧
地址 241000 安徽省蕪湖市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)緯二次路11號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N發(fā)光二極管以及發(fā)光二極管制備方法。AlN層可以提高能階，阻擋電子溢流。摻鎂InxAlyGa1?x?yN層可以緩解晶格匹配以及提高所述P型半導(dǎo)體層的能階，進(jìn)而更有利于空穴注入。所述摻鎂InGaN層通過(guò)增加鎂的含量可以提高空穴濃度。此時(shí)，通過(guò)每個(gè)子半導(dǎo)體層中AlN層、摻鎂InxAlyGa1?x?yN層以及摻鎂InGaN層可以保證晶格質(zhì)量的同時(shí)提高M(jìn)g的有效活化，增加空穴濃度。同時(shí)，通過(guò)AlN層、摻鎂InxAlyGa1?x?yN層以及摻鎂InGaN層可以?xún)?yōu)化能階，進(jìn)而阻擋電子溢流的同時(shí)增加空穴濃度。從而，通過(guò)阻擋電子溢流的同時(shí)增加空穴濃度，可以提高外延良率和發(fā)光效率。