發(fā)光二極管和發(fā)光二極管制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911119307.2 申請日 -
公開（公告）號 CN110854246A 公開（公告）日 2020-02-28
申請公布號 CN110854246A 申請公布日 2020-02-28
分類號 H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王晟 申請（專利權(quán)）人 蕪湖德豪潤達(dá)光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 蕪湖德豪潤達(dá)光電科技有限公司
地址 241000 安徽省蕪湖市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)緯二次路11號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┮环N發(fā)光二極管和發(fā)光二極管制備方法。每個子層結(jié)構(gòu)包括第一量子阱結(jié)構(gòu)以及多個第二量子阱結(jié)構(gòu)。第一量子阱結(jié)構(gòu)替換傳統(tǒng)的量子壘層結(jié)構(gòu)。多個第二量子阱結(jié)構(gòu)設(shè)置于第一量子阱結(jié)構(gòu)，形成更深層次的量子阱結(jié)構(gòu)。并且，每個第二量子阱結(jié)構(gòu)的厚度小于第一量子阱結(jié)構(gòu)的厚度，使得第二量子阱結(jié)構(gòu)相比于第一量子阱結(jié)構(gòu)形成窄的量子阱結(jié)構(gòu)。此時，將傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中的量子壘替換為所述第一量子阱結(jié)構(gòu)。通過多個第二量子阱結(jié)構(gòu)使得多量子阱層中形成多個子層深窄多量子阱結(jié)構(gòu)，相比于傳統(tǒng)的量子阱變得更深，使得量子阱對電子和空穴的限制能力更好，減小發(fā)光波長的半寬，產(chǎn)生波色更純的、發(fā)光強(qiáng)度更強(qiáng)的指定波段。