發(fā)光二極管芯片
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201921985930.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN211150583U | 公開（公告）日 | 2020-07-31 |
| 申請公布號 | CN211150583U | 申請公布日 | 2020-07-31 |
| 分類號 | H01L33/08(2010.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 王晟 | 申請（專利權(quán)）人 | 蕪湖德豪潤達(dá)光電科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 蕪湖德豪潤達(dá)光電科技有限公司 |
| 地址 | 241000安徽省蕪湖市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)緯二次路11號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請?zhí)峁┮环N發(fā)光二極管芯片。緩沖層遠(yuǎn)離襯底的表面設(shè)置有多個三維島狀結(jié)構(gòu)。第二無摻雜氮化鎵子層設(shè)置于多個三維島狀結(jié)構(gòu)表面，將多個三維島狀結(jié)構(gòu)覆蓋。第二無摻雜氮化鎵子層為二維層狀結(jié)構(gòu)。此時，通過多個三維島狀結(jié)構(gòu)和第二無摻雜氮化鎵子層可以形成三維/二維交替的結(jié)構(gòu)。從而，非輻射缺陷會在三維島狀結(jié)構(gòu)到二維層狀結(jié)構(gòu)交替的界面處發(fā)生方向轉(zhuǎn)向，進(jìn)而使得部分缺陷轉(zhuǎn)向合并湮滅。并且，通過無摻雜氮化鎵層包括多個子氮化鎵層，可以實(shí)現(xiàn)多層次的三維/二維交替結(jié)構(gòu)，使得大部分非輻射缺進(jìn)行方向轉(zhuǎn)向，并合并湮滅，進(jìn)而很大程度的減少了底層缺陷，獲得高晶體質(zhì)量外延片，提高了芯片的發(fā)光效率。?? |
