發(fā)光二極管芯片以及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911118780.9 申請日 -
公開（公告）號 CN110752275A 公開（公告）日 2020-02-04
申請公布號 CN110752275A 申請公布日 2020-02-04
分類號 H01L33/08;H01L33/32;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王晟 申請（專利權）人 蕪湖德豪潤達光電科技有限公司
代理機構 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 代理人 蕪湖德豪潤達光電科技有限公司
地址 241000 安徽省蕪湖市經濟技術開發(fā)區(qū)緯二次路11號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┮环N發(fā)光二極管芯片以及其制備方法。緩沖層遠離襯底的表面設置有多個三維島狀結構。第二無摻雜氮化鎵子層設置于多個三維島狀結構表面，將多個三維島狀結構覆蓋。第二無摻雜氮化鎵子層為二維層狀結構。此時，通過多個三維島狀結構和第二無摻雜氮化鎵子層可以形成三維/二維交替的結構。從而，非輻射缺陷會在三維島狀結構到二維層狀結構交替的界面處發(fā)生方向轉向，進而使得部分缺陷轉向合并湮滅。并且，通過無摻雜氮化鎵層包括多個子氮化鎵層，可以實現多層次的三維/二維交替結構，使得大部分非輻射缺進行方向轉向，并合并湮滅，進而很大程度的減少了底層缺陷，獲得高晶體質量外延片，提高了芯片的發(fā)光效率。