發(fā)光二極管及其形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910359919.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110085712B 公開（公告）日 2021-07-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN110085712B 申請(qǐng)公布日 2021-07-30
分類號(hào) H01L33/06（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/30（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 紀(jì)秉夆;曾頎堯;李若雅;邢琨;陳柏松 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蕪湖德豪潤(rùn)達(dá)光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 景懷宇;李雙皓
地址 241000安徽省蕪湖市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)緯二次路11號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管及其形成方法。一種發(fā)光二極管的形成方法，包括：提供襯底，所述襯底具有相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面；制備N型半導(dǎo)體層，覆蓋所述第一表面；制備多量子阱結(jié)構(gòu)層，覆蓋所述N型半導(dǎo)體層；制備能帶扭曲結(jié)構(gòu)層，覆蓋所述多量子阱結(jié)構(gòu)層，所述能帶扭曲結(jié)構(gòu)層包括層疊設(shè)置的鋁氮化鎵層和P型鋁氮化銦層，所述鋁氮化鎵層設(shè)置于所述P型鋁氮化銦層和所述多量子阱結(jié)構(gòu)層之間；以及制備P型半導(dǎo)體層，覆蓋所述能帶扭曲結(jié)構(gòu)層。該形成方法所形成的發(fā)光二極管，可以使空穴集中于能帶扭曲結(jié)構(gòu)層，從而提升空穴數(shù)量，進(jìn)而提升電子空穴的復(fù)合幾率，提升發(fā)光二極管的發(fā)光效率。