晶圓級自屏蔽封裝結(jié)構及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011337031.8 申請日 -
公開（公告）號 CN112466850A 公開（公告）日 2021-03-09
申請公布號 CN112466850A 申請公布日 2021-03-09
分類號 H01L23/552(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李林萍;盛荊浩;江舟 申請（專利權）人 杭州星闔科技有限公司
代理機構 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 李婷婷
地址 310016浙江省杭州市上城區(qū)錢江國際商務中心1416室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┮环N晶圓級自屏蔽封裝結(jié)構及其制作方法，所述晶圓級自屏蔽封裝結(jié)構包括基板和位于基板上的多個第一半導體器件和第二半導體器件，以及屏蔽墻，其中，第二半導體器件包括第一襯底、第一屏蔽層、介質(zhì)層，以及位于介質(zhì)層側(cè)壁的第二屏蔽層，屏蔽墻與所述基板上的導電部電性連接，通過在第二半導體器件內(nèi)部形成第一屏蔽層，結(jié)合第二屏蔽層和屏蔽墻，再與基板上的導電部電性連接進行接地，從而使得第二半導體器件本身具有電磁屏蔽結(jié)構，然后再將其貼裝在基板上后，與其他半導體器件之間形成電磁屏蔽，制作工藝簡單、還能起到散熱作用，且避免占用產(chǎn)品較多的面積，實現(xiàn)了封裝結(jié)構的小型化和輕量化。??