低電容單向瞬態(tài)電壓抑制器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310299076.4 申請日 -
公開（公告）號 CN103413807A 公開（公告）日 2013-11-27
申請公布號 CN103413807A 申請公布日 2013-11-27
分類號 H01L27/02(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L21/8222(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙杰;翟東媛;趙毅 申請（專利權(quán)）人 紹興米來電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京瑞弘專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 常州子睦半導(dǎo)體有限公司;南京大學(xué);紹興米來電子科技有限公司
地址 213164 江蘇省常州市常武中路801號常州科教城科教會堂南樓2309室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種單向低電容瞬態(tài)電壓抑制器及其制作工藝，其中該抑制器包括P+半導(dǎo)體襯底，位于P+襯底上的P-外延層，所述的P-外延層上從左到右依次設(shè)有第一N阱，第一P+有源注入?yún)^(qū)，第二N阱，第一P阱；所述的第一N阱和第二N阱上分別設(shè)有第一N+有源注入?yún)^(qū)和第二N+有源注入?yún)^(qū)；所述的第一P阱上設(shè)有第一N-有源注入?yún)^(qū)和第二P+有源注入?yún)^(qū)；所述的第一N-有源注入?yún)^(qū)上設(shè)有第三P+有源注入?yún)^(qū)；所述的第二N+和第三P+有源注入?yún)^(qū)、第一N+第一P+及第二P+有源注入?yún)^(qū)分別通過金屬連接并引出。本發(fā)明的技術(shù)方案可在被保護(hù)器件的正常工作電壓下，不會影響數(shù)據(jù)的高速傳送，保證了大電流的泄放能力，而且具有更好地電流泄放能力。