Ge基三柵器件及制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310015376.5 申請日 -
公開（公告）號 CN103219381A 公開（公告）日 2013-07-24
申請公布號 CN103219381A 申請公布日 2013-07-24
分類號 H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙毅;孫家寶;施毅;趙杰;董曉宇 申請（專利權(quán)）人 紹興米來電子科技有限公司
代理機構(gòu) 南京瑞弘專利商標事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陳建和
地址 210093 江蘇省南京市鼓樓區(qū)漢口路22號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種鍺基三柵器件及其制造方法，該鍺基三柵器件主要包括四個功能層：絕緣層上的鍺（GOI）基底、氧化鍺過渡層、柵極介質(zhì)層、柵電極層。其中經(jīng)過臭氧后氧化工藝實現(xiàn)的高質(zhì)量超薄氧化鍺過渡層和經(jīng)過臭氧后氧化改善的高質(zhì)量柵極介質(zhì)層是實現(xiàn)高性能的關(guān)鍵層，通過犧牲氧化工藝去除鍺體表面質(zhì)量較差（表面粗糙度大、雜質(zhì)含量高）的鍺是實現(xiàn)高性能的關(guān)鍵步驟。制造過程主要包括在絕緣層上的鍺（GOI）基底上沉積并刻蝕制作各功能層。本發(fā)明具有較高的效率和較低的耗電量，且制造方法簡單，適于廣泛應(yīng)用到實際生產(chǎn)中。