一種階梯式溝槽MOS肖特基二極管器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410148707.7 申請日 -
公開（公告）號 CN103956389A 公開（公告）日 2014-07-30
申請公布號 CN103956389A 申請公布日 2014-07-30
分類號 H01L29/872(2006.01)I;H01L21/338(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔡銀飛;翟東媛;趙毅;施毅 申請（專利權(quán)）人 紹興米來電子科技有限公司
代理機構(gòu) 南京瑞弘專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 杭州啟沛科技有限公司;南京大學(xué);紹興米來電子科技有限公司
地址 311100 浙江省杭州市余杭區(qū)文一西路998號19幢704
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種階梯式溝槽MOS肖特基二極管器件，包括N+半導(dǎo)體襯底；N-外延層，位于N+半導(dǎo)體襯底上；N-外延層上加工階梯狀的溝槽結(jié)構(gòu)；梯形溝槽內(nèi)壁生長氧化層；N-外延層上及溝槽內(nèi)生長肖特基接觸的陽極金屬；N+襯底下面生長歐姆接觸的陰極金屬。所述的溝槽結(jié)構(gòu)是由兩個直角溝槽形成階梯狀溝槽；即N-外延層的截面為周期性排列的凸出狀。將傳統(tǒng)TMBS里面的直角溝槽的上部溝槽寬度變寬，這樣能有效的調(diào)節(jié)溝槽中不同部位的電場耦合作用，從而調(diào)節(jié)溝槽中間有源區(qū)不同深度處電場強度。使用該結(jié)構(gòu)可以保持在擊穿電壓不減小、正向?qū)妷褐皇锹杂性黾拥那闆r下，實現(xiàn)漏電的大幅降低。