一種接近接觸光刻機(jī)的底部吹氮真空復(fù)印曝光模式

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110161191.X 申請日 -
公開（公告）號 CN112965342A 公開（公告）日 2021-06-15
申請公布號 CN112965342A 申請公布日 2021-06-15
分類號 G03F7/20（2006.01）I 分類 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)〔4〕;
發(fā)明人 周占福;呂磊;毛善高 申請（專利權(quán)）人 三河建華高科有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 065201河北省廊坊市燕郊開發(fā)區(qū)工業(yè)大街北側(cè)、凌仁羊絨公司西側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種接近接觸光刻機(jī)的底部吹氮真空復(fù)印曝光模式，涉及接近接觸式光刻機(jī)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。該接近接觸光刻機(jī)的底部吹氮真空復(fù)印曝光模式，包括吸盤，所述吸盤上設(shè)置有第一氣路通道和第二氣路通道，所述吸盤的上表面設(shè)置有環(huán)形槽，所述吸盤的上表面設(shè)置有晶圓，所述第一氣路通道與環(huán)形槽相連通，所述吸盤的上方設(shè)置有掩膜版，所述吸盤上部的側(cè)面設(shè)置有外圓斜環(huán)槽，所述外圓斜環(huán)槽的內(nèi)部安裝有密封圈，所述密封圈為薄型圓錐形。本發(fā)明，容易排出晶圓膠層面與掩膜版下表面之間的殘留氣體，不會產(chǎn)生氣隙，曝光后在晶圓整片上獲得一致性高、CD特征尺寸小的圖形，同時，結(jié)構(gòu)簡單，性能穩(wěn)定可靠，使用方便，應(yīng)用范圍廣。