利用二段式石英噴嘴清洗硅片的裝置及方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910490436.6 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN110335835A | 公開(公告)日 | 2021-07-16 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN110335835A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-07-16 |
分類號(hào) | H01L21/67;H01L21/02;B08B3/14;B08B3/02 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 杉原一男;賀賢漢;趙劍鋒 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 上海申和熱磁電子有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 上海申浩律師事務(wù)所 | 代理人 | 龔敏 |
地址 | 200444 上海市寶山區(qū)寶山城市工業(yè)園區(qū)山連路181號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種利用二段式石英噴嘴清洗硅片的裝置及方法,在硅片面的中央部和外周部分別使用不同的水流進(jìn)行清洗,使用4排噴嘴,2排硅片中央部清洗噴嘴集中清洗硅片的中央部區(qū)域,2排硅片外周部清洗噴嘴主要集中清洗硅片的邊緣部,設(shè)置一定的時(shí)差按照同一流速針對(duì)每枚硅片的不同位置設(shè)置沖洗點(diǎn)。兩種噴嘴交替噴流,保證每個(gè)噴嘴可以按照同一流量供給藥液,防止由于流量不足而導(dǎo)致槽內(nèi)硅片之間的間隙流量不均衡或單枚硅片面內(nèi)水流分布不均一,使該處的影響控制到最小化。使用不同的水流組合,使硅片的整面都可以充分得到清洗,減少顆粒數(shù)量。 |
