一種廢晶圓表面膜剝離再生處理工藝及其裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110858667.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113471067A 公開（公告）日 2021-10-01
申請公布號 CN113471067A 申請公布日 2021-10-01
分類號 H01L21/02（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 賀賢漢;原英樹;杉原一男;佐藤泰幸 申請（專利權(quán)）人 上海申和熱磁電子有限公司
代理機構(gòu) 銅陵市天成專利事務所（普通合伙） 代理人 李坤
地址 201900上海市寶山區(qū)寶山城市工業(yè)園區(qū)山連路181號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及晶圓再生技術(shù)領域，公開了一種廢晶圓表面膜剝離再生處理工藝及其裝置，該工藝具體包括如下步驟：在再生晶圓兩側(cè)表面形成一層流動的化學腐蝕試劑薄膜，對再生晶圓表面的氧化膜進行化學腐蝕；在上述步驟完成后，在再生晶圓兩側(cè)表面形成一層流動的研磨拋光油膜，對再生晶圓表面的氧化膜進行研磨剝離；在上述步驟完成后，在再生晶圓兩側(cè)表面形成一層流動的清洗液膜，對再生晶圓表面剝離下的氧化膜進行清洗。本發(fā)明采用晶圓表面化學試劑流動薄膜腐蝕、油膜保護下的氧化膜剝離和晶圓表面切應力清洗的三步連續(xù)處理工藝，有效提高廢晶圓再生處理的效率以及質(zhì)量。