一種硅片清洗方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910546947.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110335807B 公開(kāi)（公告）日 2021-08-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN110335807B 申請(qǐng)公布日 2021-08-06
分類(lèi)號(hào) H01L21/02;H01L21/67 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 杉原一男;賀賢漢;趙劍鋒 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 上海申和熱磁電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海申浩律師事務(wù)所 代理人 龔敏
地址 200444 上海市寶山區(qū)山連路181號(hào)1幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種硅片清洗方法，包括SC?1清洗、臭氧水清洗、DIW清洗、HF處理以及提拉干燥五個(gè)主要步驟，將現(xiàn)有技術(shù)中SC?1清洗后的純水溢流清洗步驟替換為臭氧水清洗，硅片經(jīng)SC?1清洗后，以豎直狀態(tài)放入臭氧水清洗槽中浸泡5～7min，立即打開(kāi)槽底的急速排液閥門(mén)進(jìn)行急速排液，并在排液同時(shí)打開(kāi)兩個(gè)噴管，噴管上的噴嘴同時(shí)均一的對(duì)硅片兩面進(jìn)行噴淋，每個(gè)噴嘴的噴水壓為0.2～0.3MPa，流量為2～3l/min，硅片和噴嘴的間隔為10～15cm。通過(guò)噴淋使得硅片上的金屬氫氧化物復(fù)離子在短時(shí)間內(nèi)被快速氧化成氫氧化物，該氫氧化物在噴淋液流的作用下流向臭氧水清洗槽底，并通過(guò)急速排液閥門(mén)被快速排出，使其既沒(méi)有停留時(shí)間，也沒(méi)有再附著的機(jī)會(huì)，從而實(shí)現(xiàn)了金屬氫氧化物復(fù)離子的去除。